ZnGeP2 — Doymuş infraqırmızı qeyri-xətti optika
Məhsul təsviri
Bu unikal xüsusiyyətlərə görə, qeyri-xətti optik tətbiqlər üçün ən perspektivli materiallardan biri kimi tanınır. ZnGeP2 optik parametrik salınım (OPO) texnologiyası vasitəsilə 3-5 μm davamlı tənzimlənən lazer çıxara bilər. 3-5 μm atmosfer ötürmə pəncərəsində işləyən lazerlər infraqırmızı sayğac ölçmə, kimyəvi monitorinq, tibbi aparat və uzaqdan zondlama kimi bir çox tətbiqlər üçün böyük əhəmiyyət kəsb edir.
Biz OPO və ya OPA prosesləri vasitəsilə yüksək effektivliyə malik orta infraqırmızı tənzimlənən lazer yaratmaq üçün istifadə edilə bilən son dərəcə aşağı udma əmsalı α < 0,05 sm-1 (nasos dalğa uzunluqları 2,0-2,1 µm) olan yüksək optik keyfiyyət ZnGeP2 təklif edə bilərik.
Bacarıqlarımız
ZnGeP2 polikristalini sintez etmək üçün Dinamik Temperatur Sahəsi Texnologiyası yaradılmış və tətbiq edilmişdir. Bu texnologiya vasitəsilə 500 q-dan çox yüksək təmizlikdə nəhəng dənələrə malik ZnGeP2 polikristal bir dövrədə sintez edilmişdir.
Horizontal Gradient Freeze metodu Directional Necking Technology (dislokasiya sıxlığını səmərəli şəkildə azalda bilər) ilə birlikdə yüksək keyfiyyətli ZnGeP2-nin böyüməsində uğurla tətbiq edilmişdir.
Dünyanın ən böyük diametrinə (Φ55 mm) malik kiloqram səviyyəli yüksək keyfiyyətli ZnGeP2 Vertical Gradient Freeze üsulu ilə uğurla yetişdirilib.
Müvafiq olaraq 5Å və 1/8λ-dən az olan kristal cihazların səthi pürüzlülük və düzlük bizim trap incə səthi təmizləmə texnologiyamızla əldə edilmişdir.
Kristal cihazların son bucaq sapması dəqiq oriyentasiya və dəqiq kəsmə texnikasının tətbiqi səbəbindən 0,1 dərəcədən azdır.
Mükəmməl performansa malik cihazlar kristalların yüksək keyfiyyəti və yüksək səviyyəli kristal emal texnologiyası sayəsində əldə edilmişdir (3-5μm orta infraqırmızı tənzimlənən lazer 2μm işıqla vurulduqda 56%-dən çox konversiya səmərəliliyi ilə yaradılmışdır) mənbə).
Bizim tədqiqat qrupumuz davamlı kəşfiyyat və texniki yeniliklər vasitəsilə yüksək təmizlikli ZnGeP2 polikristalinin sintez texnologiyasını, böyük ölçülü və yüksək keyfiyyətli ZnGeP2-nin böyümə texnologiyasını və kristal oriyentasiya və yüksək dəqiqlikli emal texnologiyasını uğurla mənimsəmişdir; yüksək vahidlik, aşağı udma əmsalı, yaxşı sabitlik və yüksək konversiya səmərəliliyi ilə kütləvi miqyasda ZnGeP2 cihazlarını və orijinal böyüyən kristalları təmin edə bilər. Eyni zamanda, biz kristal performans test platformasının bütün dəstini yaratmışıq ki, bu da bizə müştərilər üçün kristal performans test xidmətləri göstərmək imkanı verir.
Tətbiqlər
● CO2-lazerin ikinci, üçüncü və dördüncü harmonik nəsli
● 2,0 µm dalğa uzunluğunda nasosla optik parametrik generasiya
● CO-lazerin ikinci harmonik nəsli
● 70,0 µm-dən 1000 µm-ə qədər submillimetr diapazonunda koherent şüalanmanın yaradılması
● Kristal şəffaflıq bölgəsində CO2- və CO-lazer radiasiyasının və digər lazerlərin birləşdirilmiş tezliklərinin yaradılması işləyir.
Əsas Xüsusiyyətlər
| Kimyəvi | ZnGeP2 |
| Kristal Simmetriya və Sinfi | tetraqonal, -42m |
| Şəbəkə Parametrləri | a = 5,467 Å c = 12,736 Å |
| Sıxlıq | 4,162 q/sm3 |
| Mohs sərtliyi | 5.5 |
| Optik sinif | Müsbət biroxlu |
| Faydalı ötürmə diapazonu | 2,0 um - 10,0 um |
| İstilik keçiriciliyi @ T= 293 K | 35 Vt/m∙K (⊥c) 36 Vt/m∙K (∥ c) |
| Termal genişlənmə @ T = 293 K - 573 K | 17,5 x 106 K-1 (⊥c) 15,9 x 106 K-1 (∥ c) |
Texniki Parametrlər
| Diametr tolerantlığı | +0/-0,1 mm |
| Uzunluğa dözümlülük | ±0,1 mm |
| Orientasiya Tolerantlığı | <30 arcmin |
| Səth keyfiyyəti | 20-10 SD |
| Yastılıq | <λ/4@632.8 nm |
| Paralellik | <30 qövs |
| Perpendikulyarlıq | <5 arcmin |
| pax | <0,1 mm x 45° |
| Şəffaflıq diapazonu | 0,75 - 12,0 ?m |
| Qeyri-xətti əmsallar | d36 = 68,9 pm/V (10,6μm-də) d36 = 75,0 pm/V (9,6 μm-də) |
| Zərər həddi | 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm |
